Download Skripsi Mipa Gratis (Analisis XRD Film Tipis)
Material semikonduktor III-nitrida (AlN, GaN, InN) mempunyai bandgap lebar (3,4 eV sampai 6,2 eV), kecepatan saturasi elektron, tegangan breakdown, conduction band- offset, dan stabilitas termal tinggi sehingga sangat berpotensi untuk aplikasi devais elektronik yang bekerja pada daya dan temperatur tinggi. Salah satu semikonduktor yang banyak diteliti adalah AlxGa1-xN yang dapat diaplikasikan dalam bidang optoelektronik seperti LED (light emitting diode), LD (laser diode) dan detektor UV (ultra violet). Film tipis AlxGa1-xN ditumbuhkan di atas lapisan penyangga AlN pada substrat silikon (Si) dengan bidang orientasi kristal (111).
Film tipis AlxGa1-xN ditumbuhkan dengan variasi fraksi molar Al, x = 0,1 dan x = 0,2 pada daya plasma yang berbeda (40, 50 dan 70 watt). Preparasi substrat dilakukan dengan pencucian menggunakan aseton dan metanol. Kemudian substrat dicelup dalam larutan HF [H2O:HF (49%) = 10:1] pada temperatur ruang selama 20 detik untuk menghilangkan oksida pada permukaannya. Karakterisasi film tipis AlxGa1-xN dengan XRD (X-Ray Difraction) dilakukan untuk mengetahui struktur kristal film tipis AlxGa1-xN, serta sifat optik film tipis AlxGa1-xN diketahui dengan karakterisasi spektrometer UV-nir (Ultraviolet near infrared).
Karakterisasi XRD film tipis GaN dan AlxGa1-xN menunjukkan nilai fraksi molar Al (x = 0,1 dan x=0,2) mempunyai orientasi bidang kristal (0002), yang masih bersifat polikristal dan berstruktur kristal wurtzite pada daya 40W. Dengan optimalisasi daya plasma (70 watt) pada x = 0,2 pada film tipis AlxGa1-xN diperoleh orintasi bidang kristal yang bergeser menuju orientasi bidang kristal (1010) yang sudah bersifat monokristal. Karakteristik sifat optik dengan UV-nir menunjukkan ketebalan film tipis dengan x = 0,2 pada daya 70 watt lebih rata dan tebal dibandingkan dengan daya 40 watt dan 50 watt.
Film dengan x = 0,2 pada daya plasma 40 watt memiliki Eg = 3,58 eV, daya plasma 50 watt Eg = 3,62 eV serta pada daya plasma 70 watt memiliki Eg = 3,78 eV. Perbedaan fraksi molar Al juga berpengaruh terhadap besarnya energi bandgap. Film AlxGa1-xN pada daya plasma 50 watt dengan x = 0 memiliki Eg = 3,52 eV; x = 0,1 memiliki Eg = 3,58 eV sedangkan pada x = 0,2 memiliki Eg = 3,62 eV.
Semakin besar fraksi molar yang diberikan maka energi bandgap dari film tersebut juga semakin besar. Penambahan daya plasma yang besar mengakibatkan pergeseran sudut yang relatif kecil. Pergeseran sudut θ 2 menyatakan besarnya strain yang mengindikasikan kualitas kristal yang dihasilkan.
Silahkan Download Skripsi Mipa Gratis (Analisis XRD Film Tipis) dilink berikut Analisis XRD Film Tipis
Password: DSh0Dmg3
Download Skripsi Mipa Gratis (Analisis XRD Film Tipis)
4/
5
Oleh
dany
